据1月30日国外报道，近日，IBM和英特尔宣称已经在解决CPU漏电方面取得了突破性进展，其方法是通过替换一种特殊材料。 而CPU制造商面对的一个大问题，的确就是漏电，尤其是对于大功率的CPU来说，漏电问题更会导致过热和费电，这两个因素也是无法将芯片做得更小更高速的原因；虽然通过加工技术的改进可以使CPU速率加快，但是它也使问题变得更加复杂。
据了解，英特尔和IBM宣称他们发现了一个将闸极上的金属部分替换成特殊材料的方法，闸极也就是控制晶体管开关的元件，而闸极上的绝缘体层可以提高晶体管的性能并保持能量；硅绝缘体越窄，绕行的电流就越多。英特尔称这种特殊材料可以使CPU性能提高20％，而IBM对此避而不谈。
据悉，AMD的漏电问题没有英特尔那么严重，但当AMD与英特尔展开CPU速率大战时，就特别需要关注。而英特尔的一些芯片具有高达50％的漏电值，因此解决CPU漏电方面的任何改进都是好的，特别是向45纳米技术迈进时，英特尔更需要这样的突破——使芯片运行时温度降低，CPU速率提高。
（第三媒体 2007－01－30）
