新品动态：三星推出288M RDRAM元晶

   三星公司在IDF（Intel开发论坛）上宣布，推出首款288M RDRAM，量产与出货将安排在今年秋季。
   三星官方表示，这种288M元晶可以单面、也可以双面表贴，因此能用于生产288M、576M两种RDRAM内存条；由此，单通道Rambus内存将能达到1G容量，双通道则可以达到2G容量。（Jalor 8-24）

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