新品：映泰TH55 XE 799主板
报价：799元
作为集成了GPU显示核心的全新一代Clarkdale平台H55芯片组首片主板――映泰TH55 XE，已经抢滩全国各大IT卖场，这也是目前唯一在市场上能找到的H55主板。此次映泰TH55 XE主板主板以一贯的全板型设计搭配黑色PCB底板，尽显专业本色；平台搭载H55芯片组，提供英特尔32nm Clarkdale Core i5/i3/Pentium 45/32 nm系列处理器支持；7相加强型供电设计，搭配低阻抗纯铁芯全封闭电感及日本化工PSE长寿型固态电容，配合奢华的量子芯供电芯片应用，保证供电的精准以及高纯净度，同时有效降低超频发热量，提升极限供电能力以及效率，超频能力更强。所以可以肯定的是映泰正以更好更快更省电的产品优势及高端形象展现在人们面前。
映泰TH55 XE主板量子芯供电技术核心元件为量子芯供电芯片，采用高纯度硅片、昂贵稀有金属，以最新纳米技术制程制造，精密程度不亚于CPU芯片;量子芯为铜外壳包装，全新的贴片工艺焊盘，发热量低，工作寿命为普通供电MOS管10倍以上，并且芯片节能与普通的芯片可达到8倍的优势。量子芯专用于高端服务器、笔记本等，德国英飞凌科技精密芯片也获授权采用这种专利技术。一对量子芯供电能力相当于5颗普通MOS管。
1、 双面散热铜外壳
量子芯硅片被装入铜外壳，封装的底部是经特殊设计的芯片，直接焊到PCB板的表贴焊盘，铜外壳结构提供高效的双面散热。
2、 散热效率快2.5倍
量子芯采用独有的结构和用料，从封装顶部散掉的热量是普通SO8 MOS的两倍半，有效的顶部散热意味器件散发出的热量可以被带离线路板，增加元器件安全工作的电流值。
3、废热损耗减少8倍，节能8倍
普通的MOSFET使用引线键合来实现硅片和管脚框架之间的电连接，而量子芯，将接触面的数目和传导路径的长度减到最小从而减小了传导损耗。独特的封装提供了最优良的封装阻抗，仅为普通MOS损耗1/8左右,减少废热产生,节省8倍损耗电量。
4、供电性能1个顶2.5个
满足极限超频供电18A高电流需要，用最好的单面散热的SO8封装MOSFET，每相要用五只，采用双面散热的量子芯供电芯片贴片MOS管只需两只就可以轻松满足。
作为超节能II代的核心技术，量子芯供电技术提供了比普通供电技术更好、更快、更为省电的效能，让TH55 XE在新平台产品中脱颖而出，优势和特色非常明显，结合Intel最新集成GMA HD显卡的Clarkdale各款处理器，完全可以轻松应对新Socket1156平台极限超频、高清应用和游戏娱乐等需求。
(新闻稿 2009-12-29)
